TCHERNOV切尔诺夫线材之所以拥有如此优异的性能表现,除了其优质的材料选择,同时它应用了多项专利技术。不仅自主研发了线芯(CABLE-CORE?)、半空气间隔电介质绑扎(S A S D B? )、半空气带绝缘(SATI?)等多项专利技术;还特别引进了多元屏蔽系统(X-SHIELD?)以及多元屏蔽的第二代技术(X-SHIELD? SE)。
S A S D B? 技术
在TCHERNOV切尔诺夫的线材制作中,互相扭紧的绝缘导体会再被扎紧,这可以使线材的整体电介质特性以倍数提升。S A S D B?即半空气间隔电介质绑扎技术,则是四层双向交加P T F E(Teflon?)带的绕制方式;而之后的三层(即随后反向的3层)会有气隙,最后一层有30%的覆盖。这种技术的应用使线材的信号能量损耗大大降低,这么多的空气间隔方式代替了部分实心的电介质物料,因为这会使相对电容率极低而不受频率影响。再者,内部机械张力得到舒缓,震动得以有效吸收,同时又可令线身十分柔软。
SATI?技术
SATI?(半空气绝缘技术)是TCHERNOV切尔诺夫目前为止最为先进的单一导体绝缘方法,经过绕上一层冷冻、有孔、无极性电介质的带子( P T F E , T e f l o n?)特氟龙),可以避免导体因热而引致的压力,也消除了铜在绕制时再结晶的现象,因此使导电能力和均匀结构都处于领先地位。此外,SATI?技术能保持PTFE带有孔,形成半空气的结构,这样就可以使电介质的相对电容率和能量损耗大为降低。SATI?技术只应用于最高级的REFERENCE精致系列及ULTIMATE极致系列产品当中。